| 型号：NSBA115TDP6T5G | 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 | 制造商：ON Semiconductor |
| 封装：SOT-963 | 描述：TRANS DUAL PBRT PNP SOT-963 | |
详细参数
| 类别 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
|---|---|
| 描述 | TRANS DUAL PBRT PNP SOT-963 |
| 系列 | - |
| 制造商 | ON Semiconductor |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 电流_集电极（Ic）111最大222 | 100mA |
| 电压_集电极发射极击穿111最大222 | 50V |
| 电阻器_基极（R1）111欧222 | 100k |
| 电阻器_发射极（R2）111欧222 | - |
| 在某IceeeVce时的最小直流电流增益（hFE） | 160 @ 5mA，10V |
| IbeeeIc条件下的Vce饱和度111最大222 | 250mV @ 5mA，10mA |
| 电流_集电极截止111最大222 | 500nA |
| 频率_转换 | - |
| 功率_最大 | 408mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-963 |
| 供应商设备封装 | SOT-963 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
供应商
| 深圳山琅电子科技有限公司 | 刘红样086-755-83229865 |
| 北京显周科技有限公司 | 刘先生13910052844（微信同步） |
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